MAX16816ATJ+ datasheet
![](/img-new/pdf.png)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаMAX16816ATJ+
-
ПроизводительMaxim Integrated
-
ОписаниеMaxim Integrated MAX16816ATJ+ Current - Output / Channel: - Efficiency: 90% Frequency: 125kHz ~ 500kHz High Level Output Current: 67 mA Internal Driver: Yes Internal Switch(s): Yes Low Level Output Current: 76 mA Maximum Operating Temperature: + 125 C Maximum Power Dissipation: 2758 mW Maximum Supply Current: 4.5 mA Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT Mounting Type: Surface Mount Number Of Outputs: 1 Operating Supply Voltage: 5.5 V to 76 V Operating Temperature: -40?°C ~ 125?°C Package / Case: 32-TQFN Exposed Pad Series: - Topology: PWM, SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost) Type: HBLED Driver Type - Primary: Automotive Type - Secondary: High Brightness LED (HBLED) Voltage - Output: - Voltage - Supply: 5.5 V ~ 76 V RoHS: yes Input Voltage: 5.5 V to 76 V Power Dissipation: 2758 mW
-
Количество страниц33 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p> <p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>](/images/cache/aff80dadbc8cbebf7520f08d33c52745.png)
24.05.2024
![<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p> <p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>](/images/cache/1f8030008b2af69308b1c6826ad6ec45.jpg)
22.05.2024
![Тайваньская академия наук, Academia Sinica, представила инновационный 5-битный сверхпроводящий квантовый компьютер, что является значительным достижением в области квантовых вычислений и укрепляет позиции Тайваня как одного из лидеров в этой быстро развивающейся сфере. Тайваньская академия наук, Academia Sinica, представила инновационный 5-битный сверхпроводящий квантовый компьютер, что является значительным достижением в области квантовых вычислений и укрепляет позиции Тайваня как одного из лидеров в этой быстро развивающейся сфере.](/images/cache/7aedd7dbb8af1dcb971a2e33df138608.jpg)
21.05.2024